5G时代又一大重磅产品亮相：
2月13日下午，小米通过线上直播发布会的形式，面向百万观众，正式发布了小米10系列手机以及部分配件产品。
其中，小米65W氮化镓充电器成为本次发布会的一大亮点，据小米首席执行官雷军介绍，该款充电器具有小巧、高效、发热低等特点，并且支持小米10疾速快充，从0充电至100%仅需45分钟。搭配小米10 Pro可实现50W快充，还可为笔记本充电，售价149元，2月18日开卖。
小米就此成为了第一家将氮化镓USB PD快充单独零售的手机企业，并且149元的零售价更是创下行业新低，引发行业人士高度关注。
小米GaN急速充电器，应用半导体第三代材料氮化镓GaN技术。
小米GaN急速充电器，2大优势：
（1）充电时间快（仅仅47分钟充满），充电速度提高了3倍以上；
（2）体积小，只有苹果充电器体积的40%。
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接下来，我们简要科普下半导体第三代材料氮化镓GaN有关知识，以及和5G的关系。
氮化镓的前世今生
氮化镓，分子式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，属于极稳定的化合物，自1990年起常用在发光二极管中。
它的坚硬性好，还是高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。
1998年中国十大科技成果之一是合成纳米氮化镓；
3月，美国雷声公司氮化镓晶体管技术获得突破，首先完成了历史性X-波段GaN T/R模块的验证；
1月，富士通和美国Transphorm在会津若松量产氮化镓功率器件；
3月，松下和英飞凌达成共同开发氮化镓功率器件的协议；
同月，东芝照明技术公司开发出在电源中应用氮化镓功率元件的卤素LED灯泡；
2月，美国否决中资收购飞利浦，有无数人猜测是美帝在阻止中国掌握第三代LED氮化镓技术；
3月，科巴姆公司与RFHIC公司将联合开发GaN大功率放大器模块。
GaN是第三代半导体材料，相比于第一代的硅（Si）以及第二代的砷化镓（GaAs）等，
GaN第三代半导体材料具备比较突出的优势特性：
（1）禁带宽度大、导热率高，GaN器件可在200℃以上的高温下工作，能够承载更高的能量密度，可靠性更高；
（2）较大禁带宽度和绝缘破坏电场，使得器件导通电阻减少，有利与提升器件整体的能效；
（3）电子饱和速度快，以及较高的载流子迁移率，可让器件高速地工作。
也就是说，利用GaN人们可以获得具有更大带宽、更高放大器增益、更高能效、尺寸更小的半导体器件。
5G带给GaN新机遇
5G 将带来半导体材料革命性的变化，因为对5G的严格要求不仅体现在宏观上带来基站密度致密化，还要求在器件级别上实现功率密度的增强。
特别是随着通讯频段向高频迁移，基站和通信设备需要支持高频性能的射频器件。虽然许多其它化合物半导体和工艺也将在5G发展中发挥重要作用，但GaN 的优势将逐步凸显。
GaN将以其功率水平和高频性能成为 5G 的关键技术。
随着5G网络应用的日益临近，将从开始为 GaN器件带来巨大的市场机遇。相比现有的硅LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体技术）和GaAs（砷化镓）解决方案，GaN器件能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能。
而且，GaN的宽带性能也是实现多频载波聚合等重要新技术的关键因素之一。
GaN HEMT（高电子迁移率场效晶体管）已经成为未来宏基站功率放大器的候选技术。
预计到2025年，GaN将主导射频功率器件市场，抢占基于硅LDMOS技术的基站PA市场。
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半导体第三代材料GaN氮化镓应用的三大风口：
（1）5G，氮化镓作为第三代半导体材料，是5G时代的最大受益者之一。不止在射频器件方面，未来5G全行业上下游都可能采用这一新材料。具体个股，大家可以挖掘。
（2）射频,--由于5G对射频功率、耗能要求的提升，5G射频领域将逐渐用氮化镓取代硅基材料（ 002402和而泰是采用氮化镓技术生产5G毫米波射频芯片的唯一上市公司）；
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（3）快充（小米GaN快充产业链条供应商，以及概念股，接下来科普）
最后来前瞻分析下周小米GaN氮化镓充电器这个热点可能带来的的个股机会。
据充电头网从供应链获取的信息显示，小米65W氮化镓充电器的核心器件采用的是美国Navitas纳微半导体氮化镓功率IC。
Navitas 纳微半导体是世界上首个也是唯一的氮化镓功率芯片公司！
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氮化镓（gallium nitride，GaN）是第三代半导体材料，其运行速度比旧式慢速硅（Si）技术加快了二十倍，并且能够实现高出三倍的功率，用于尖端快速充电器产品时，可以实现远远超过现有产品的性能，在尺寸相同的情况下，充电速度提高了三倍。
正是借助美国Navitas纳微半导体氮化镓功率IC的GaN技术优势，使得小米65W氮化镓充电器的尺寸仅为56.3mm x 30.8mm x 30.8mm，体积比小米笔记本标配的65W适配器还减小了约48%，约为苹果61W快充充电器的三分之一。
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Navitas 半导体是世界上首个也是唯一的氮化镓功率芯片公司，于在美国加州洛杉矶地区成立，Navitas的管理经营团队在半导体材料，电路，应用，系统和市场营销方面有多达200年经验。
其中多位创始人共拥有超过125项专利发明。独有的AllGaN程序设计集成了高压高性能的氮化镓功率管和氮化镓驱动逻辑电路。
Navitas 氮化镓功率芯片可在移动消费市场，企业市场和 新能源市场实现更小，更节能，更低成本的方案设计。公司有25多 项专利申请已经被授予专利或在受理中。
经过周末深度挖掘，发现上市创业板上市公司（代码：3004XX）直接投资参股了这家美国Navitas纳微半导体牛逼公司，Navitas 半导体是世界上首个也是唯一的氮化镓功率芯片公司！
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是小米GaN快充的最关键部件氮化镓功率芯片供应商！！
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第三代半导体材料氮化镓GaN相关概念公司如下：
海特高新00：海威华芯布局氮化镓功率器件代工，技术达到国际先进水平
富满电子300671：充电器主控芯片，与oppo合作研发过GaN的充电器
南大光电300346：公司拥有自主知识产权的MO原产品高纯磷烷、砷烷直接为氮化镓GaNt提供原材料，MO原产品高纯磷烷、砷烷研发和产业化项目已经列入国家科技重大专项。
高纯磷烷和高纯砷烷都是LED、超大规模集成电路、砷化镓太阳能电池的重要原材料。
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海陆重工002255：旗下江苏能华微电子科技发展有限公有专业研发、生产以氮化镓( GaN)为代表的复合半导体高性能晶圆，并用其做成功率器件。
瑞芯微603893：主要从事集成电路的设计与研发，是中国极具创新和务实的集成电路设计公司，为手机快充等多个领域提供专业芯片解决方案
云南锗业002428：子公司云南鑫耀半导体材料有限公司目前已建成砷化镓单晶及晶体产业化生产线，目前GaAs单晶片产能为80万片/年(折合4英寸)，上半年产量
有研新材600206：公司为国内靶材等半导体材料的龙头企业之一，也是国内水平砷化镓最大的供应商，旗下有研光电拥有如万片/年的GaAs衬底产能。
乾照光电300102：是国内最大的能够批量生产砷化镓太阳能电池外延片的企业，研发并生产世界最尖端的高性能砷化镓太阳能电池，填补了该领域的国内空白。
闻泰科技600745：车载GaN已经量产，全球最优质的氮化镓供应商之一
三安光电600703：化合物半导体代工，已完成部分GaN的产线布局
耐威科技300456：公司目前的第三代半导体业务主要是指GaN(氮化镓)材料的生长与器件的设计。公司已成功研制8英寸硅基氮化镓外延晶圆，且正在持续研发氮化镓器件
士兰微600460：4/6英寸兼容先进化合物半导体器件生产线
除了氮化镓充电器之外，小米还发布了一款搭载⾼通IPQ8071A芯片的WiFi 6路由器AX3600，这里也简单介绍一下。
WiFi6是最新一代的无线局域网传输技术，实现了更高阶的调制方式、更高的频宽，其理论带宽达到9.6Gbps，可同时工作在2.4G和5G频段下。
简单地说，基于WiFi6技术，将使得无线网设备有更长的续航时间、使得无线网络信号更强、传输效率更高、延时更低，未来将彻底取代之前的WiFi4和WiFi5标准。
基于WiFi6的优越性能，将在5G时代与5G技术形成互补，成为室内网络传输技术的核心，在智能家居等物联网场景大量应用。
此次小米发布WiFi6路由器AX3600，将成为业内首个全面支持WiFi6的终端品牌，同时也意味着WiFi6技术进一步商业化。
WiFi6概念股主要如下：
（1）300812易天科技（总股本 7800万股，流通 1900万股，每股收益约1.35元）
（2）300504天邑股份（总股本26700万股，流通10500万股，每股收益约0.46元）
（3）603118共进股份（总股本77600万股，流通77600万股，每股收益约0.38元）
（4）603068博通集成（总股本13900万股，流通 3500万股，每股收益约1.59元）
（5）002396星网锐捷（总股本58300万股，流通56100万股，每股收益约1.15元）
（6）688018乐鑫科技（总股本 8000万股，流通 1800万股，每股收益约2.01元）
本次小米GaN 快充发布会，能否引发第三代半导体应用热潮？
