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一、事件催化：
2月13日，小米用纯线上发布会的方式，发布年度高端旗舰手机小米10系列，还发布了一款重要搭档产品：小米GaN充电器Type-C 65W。值得一提的是，该充电器采用氮化镓(GaN)技术，得到资本市场强烈关注。
作为新一代无线基础设施独一无二的出色半导体技术，硅基氮化镓有望以LDMOS成本结构实现优异的氮化镓性能，并且具备支持大规模需求的商业制造扩展能力。过去数十年，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。据法国YOLE咨询数据认为:硅基氮化镓市场临近爆发点，未来5年年复合增长率将达79%。它将在300多亿美元利润的现有功率半导体市场，以及诸多新兴应用上拥有优秀表现，市场需求广大。目前硅基氮化镓器件市场应用广泛，市场容量巨大且布局厂家非常之多。光在在应用方面，就有包括电源适配器、服务器电源、太阳能光伏、LiDAR激光雷达、新能源汽车等市场。在市场容量方面，数据同样让人激动，例如激光雷达，预计年出货量在100亿左右。太阳能光伏器件中的光伏逆变器，同样前景可观，预计到2050年，有一半的能源都将来自太阳能和风能。在新能源汽车领域，充电桩，车载充电器，无线充电方面也应用相当广泛。
从技术方面讲，硅基氮化镓相较于传统硅材料有着不可比拟的优势，仅是功率特性就高出传统硅材料的910倍。它有着禁止宽度大、饱和电子漂移速度高、电子迁移率、击穿场强高的优势。
二、在器件性能方面，氮化镓材料有着四大亮点：
1、高温耐受好175°C->800°C，保证了对器件的散热要求低；
2、开关速度快，能有效减小无源器件的体积；
3、通态电阻低，最大限度降低能耗；
4、高耐压特性，保证了高输出功率。
在系统性能方面，硅基氮化镓材料小型且轻薄，运输相当便利。身材虽小，能量却不容忽视，效率高，功率大，这些优点都注定了氮化镓在功率器件产业链上的布局将相当广阔。
三、未来预期：
第一，继OPPO之后当前小米加入，说明氮化镓充电器技术已经基本成熟，后续若华为、苹果、三星等手机紧接着继续推广氮化镓充电器，那么这个市场将完全打开。则氮化镓充电器有机会成为下一个TWS无线耳机，带来史诗级的市场革新！
第二、氮化镓是一种广为看好的新型半导体材料，具有超强的导热效率、耐高温和耐酸碱等优点，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。
第三、氮化镓还可应用于：5G射频领域、国防应用（雷达、电子对抗战、精确制导）、电动汽车领域、光伏领域、智能电网等领域。当前IGBT所使用的是硅基材料，若氮化镓技术进一步取得突破，渗透进IGBT半导体领域，则将大大打开氮化镓市场的天花板。
第四、GaN电源市场渗透率逐步提升，各家厂商积极布局。根据Yole预测，-GaN市场增速55%，GaN电源市场将达到4.2亿美元
四、A股上市公司：
士兰微：
杭州士兰微电子股份有限公司成立于成立于1997年，专业从事集成电路芯片设计以及半导体相关产品制造，2001年开始在杭州建了第一条5英寸芯片生产线，现已成为国内集成电路芯片设计与制造一体（IDM）企业。
近年来，士兰微逐步布局第三代化合物功率半导体。，士兰微打通一条6英寸的硅基氮化镓功率器件中试线。10月，士兰微厦门12英寸芯片生产线暨先进化合物半导体生产线开工，其中4/6英寸兼容先进化合物半导体器件生产线总投资50亿元，定位为第三代功率半导体、光通讯器件、高端LED芯片等。
耐威科技：
7月5日，耐威科技公告称，公司与青岛市即墨区人民政府、青岛城市建设投资（集团）有限责任公司在国际集成电路产业投资（青岛）峰会上签署《合作框架协议书》。耐威科技发力第三代半导体材料，其氮化镓材料项目宣布签约青岛。
今年5月24日，耐威科技宣布与袁理先生、青岛海丝民和半导体投资中心（有限合伙）、青岛民芯投资中心（有限合伙）共同投资设立两家控股子公司——聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司与青岛聚能创芯微电子有限公司，耐威科技分别持股35%、40%。
两家控股子公司业务均与氮化镓（GaN）相关：聚能创芯主要从事功率与微波器件，尤其是氮化镓（GaN）功率与微波器件的设计、开发；聚能晶源主要从事半导体材料，尤其是氮化镓（GaN）外延材料的设计、开发、生产。
耐威科技表示，这次合作有利于公司加快第三代半导体材料，尤其是氮化镓（GaN）外延材料的设计、开发、生产进度；有利于公司把握产业发展机遇，尽快拓展相关材料在国防装备、航空电子、5G 通信、物联网等领域的推广应用；有利于公司以传感为核心所进行的“材料-芯片-器件-系统-应用”的全面布局。耐威科技紧密围绕军工电子、物联网两大产业链，一方面大力发展导航、MEMS、航空电子三大核心业务，一方面积极布局无人系统、智能制造等潜力业务，主要产品及业务包括军/民用导航系统及器件、MEMS芯片的工艺开发及晶圆制造、航空电子系统等。
三安光电：
美国加利福尼亚州森尼韦尔, June 24, (GLOBE NEWSWIRE) -- 三安集成电路有限公司(简称三安集成)，一个拥有化合物半导体晶圆铸造先进技术平台代工厂今日宣布，运用于最新高压AC/DC和DC/AC电力电子领域的150mn硅基氮化镓(GaN)代工服务正式面向全球市场。三安集成的新G06P111是650V增强模式高电子迁移率晶体管(E-HEMT)GaN过程增加了公司的电力电子晶片铸造组合的宽带化合物半导体(银行),包括100毫米和150毫米碳化硅(SiC)高压肖特基势垒二极管(作为)。凭借其多年在LED领域氮化镓量产制造经验的母公司三安光电股份有限公司, 三安集成能够补充与内部金属的铸造服务增长能力的高电压、低泄漏硅基氮化镓外延晶片高一致性。
三安集成总经理助理陈文欣表示，公司发布650V GaN E-HEMT工艺是对于先进化合物半导体制造业全球市场代工服务的承诺。我们认为硅基氮化镓是今天高电压、大功率电力电子行业以碳化硅为主的宽带半导体的主要补充技术。器件供应商和系统设计师在传统迁移到宽禁带半导体硅增强性能、效率和可靠性高功率模拟设计。三安集成也将成功服务于这个高速增长、大规模的电力电子市场。
公司的G06P11 硅基氮化镓工艺，通过JEDEC的工艺可靠性标准，能够提供650V E-mode FETS的器件结构，并且支持漏源通路状态从50m?到400m?电阻范围。工程上能够低泄漏、低栅极电荷、高电流密度和低动态特定阻力(Rsp)，这能够使超高速开关紧凑设计在高温状态中操作。在今年晚些时候公司将推出200V的氮化镓E-HEMT工艺以及第二代碳化硅肖特基势垒二极管与肖特基二极管结构相结合的工艺。
硅基氮化镓工艺是适合最新消费类和服务器应用的工艺,如电源适配器,USB-PD,便携式充电器,和用于交流/直流不间断电源(UPS)功率因数校正(PFC)。这种工艺同时牵动其他市场运用如混合动力/电动汽车(EV/HEV)、激光雷达和无线充电。根据Yole公司，一家领先技术的市场研究公司出具的报告，氮化镓功率器件未来市场价值预计以93%的符合增长率在可达到4.23亿美元。三安集成致力于服务这一新兴技术在整个电力电子行业的多个细分市场运用。
海特高新：
海特高新在互动易平台表示：海威华芯总投资约20亿元左右，一期基建工作基本完成，目前正筹建二期工程项目，目前海威华芯一期产线处于工艺完善和良率提升试生产阶段，二期建成达产时间请您关注公司后续进展公告，请您秉承价值投资理念注意投资风险，谢谢关注。
海威华芯是国内首家提供6英寸砷化镓 /氮化镓微波集成电路的纯晶圆代工服务公司。因为打破了国际垄断、填补了国内空白，其“6英寸GaAs/GaN集成电路生产线”成为国家支持的重点产业化项目。
砷化镓、氮化镓芯片是半导体领域的明珠，具有高频率、高功率、高效率的特点，广泛应用于手机、移动通信基站 、能源转换、物联网 以及国防 ，是典型的军转民技术。“这一个小小的氮化镓晶圆，其价值在上百万元。一旦量产，产值就会有一个大跨越。”海威华芯打破海外半导体代工垄断，项目产业化值得期待。
全球第二代/第三代半导体的市场空间近百亿美元，中国市场占据近半份额，制造环节95%依靠国外foundry 厂商。海威华芯建立了国内第一条6 英寸砷化镓 /氮化镓半导体晶圆生产线，
瑞丰光电 ：
公司独立董事刘召军博士及其团队多项研究成果世界领先，其中包括世界首创氮化镓HEMT与Micro-LED同质集成技术。
刘博士投入Mini/Micro-LED领域技术研究10余年，其团队已经研发了11代Micro-LED技术。目前发表杂志及国际会议论文80余篇，申请美国专利12项，授权7项，申请中国专利80余项，授权20余项。
海陆重工：
旗下江苏能华微电子科技发展有限公有专业研发、生产以氮化镓( GaN)为代表的复合半导体高性能晶圆，并用其做成功率器件。
闻泰科技：
公司推出氮化镓效应晶体管(GanFET),该产品主要应用于工业电源、逆变器、转换器、汽车牵引逆变器和车载充电器和转换器等场景。车载GaN已经量产，全球最优质的氮化镓供应商之一。
福满电子：
充电器主控芯片，与oppo合作研发过GaN的充电器。
华润微：
12月，华润微电子完成对中航（重庆）微电子有限公司的收购，拥有8英寸硅基氮化镓生产线和国内首个8英寸600V/10A GaN功率器件产品，用于电源管理。
华润微规划建设的化合物半导体项目,判断生产线主要是GaN工艺。
该项目将分两期实施,其中一期项目投资20亿元,二期投资30亿元。
亚光科技：
5G通信的毫米波功率放大器已研制成功并小批量产;砷化镓/氮化镓射频芯片关键技术在芯片制造领域与三安光电 深度进行合作,打造完整的新型半导体射频芯片产业链。亚光科技年报披露，其与
巨化股份：
巨化产品在半导体液晶面板氮化镓系LED多晶硅太阳能电池生产中的应用取得重大突破。公司与日本昭和电工株式会设立合资公司浙江衢州巨化昭和电子化学材料有限公司，在国内发展高纯氨业务。新公司08年11月开工建设，计划在09年6月建成500吨/年的高纯氨生产装置。考虑到高纯氨市场需求增长的趋势，公司正考虑在09年底根据市场情况将装置生产能力扩大到1000吨/年。新公司采用昭和电工的高纯氨生产技术。高纯氨作为电子工业中氮化膜的成膜气体，已经在半导体、液晶面板、氮化镓系LED生产中得到广泛应用，在多晶硅太阳能电池领域的应用也在不断增加。
捷捷微电：
中环股份：
五、半导体材料经历了三代：
第一代半导体材料：锗半导体、硅半导体
第二代半导体材料：砷化镓（GaAs）半导体
第三代半导体材料：氮化镓（GaN）半导体、碳化硅（SiC）半导体
氮化镓之后，碳化硅或许会被市场炒作，下面将第三代半导体碳化硅概念股汇总如下：
天富能源：
公司是国内规模化生产碳化硅晶片的企业，通过与中科院物理研究所合作，成立北京天科合达蓝光半导体有限公司，持股40.8%。天科合达专建立了完整的碳化硅晶片生产线，成为全球碳化硅晶片的主要供应商，其相关专利技术已被国家知识产权局授权。
东方钽业：
司主要从钽铌及其合金制品，碳化硅业务占比约10%左右。
易成新能：
公司从事碳化硅粉体材料生产，市场占有率位居行业前列。核心产品为为高纯度、超精细的绿碳化硅微粉。
露笑科技：
天通股份：
楚江新材：
西安电子科技大学在合作研制第三代半导体项目。
